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Artículos Técnicos

Escaneo topográfico y electroquímico simultáneo, usando Scanning Ion ConductanceMicroscopy – Scanning Electrochemical Microscopy (SICM-SECM)

Desde la aparición del microscopio de efecto túnel (STM) [1], los científicos electroquímicos han buscado explotar las técnicas de microscopía de sonda de barrido (SPM), para así controlar la posición espacial de una sonda, esto, con el fin de facilitar el escaneo topográfico, conductimétrico y amperométrico/voltaico simultaneo de distintas superficies e interfaces

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Proyección topográfica de diversas muestras orgánicas sumergidas en una solución electrolítica mediante el uso del microscopio Park NX10 mediante Scanning Ion ConductanceMicroscopy

Para poder identificar y entender la principal causa de un problema y a partir de ellogenerar una solución, muchas veces es necesario analizar la muestra In-situ. Muchas de las aplicaciones innovadoras tienen esta necesidad, aplicaciones como: 1) el estudio de fallo de mecanismos en electrodos de batería, 2) el estudio del transporte de iones entre células, y 3) el estudio de biomecánica estática y dinámica a nivel celular.

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Óptima medición de distribución de corriente de Nanobarras de Óxido de Zinc vía PinPoint™ Conductive AFM

La distribución de corriente en un material es uno de los parámetros más significativos a la hora de determinar el rendimiento de dispositivos eléctricos. Como los componentes de estos dispositivos continúan haciéndose cada vez más pequeños, medir sus propiedades se ha convertido en una tarea desafiante para los investigadores e ingenieros. Por ello, es de vital importancia un método capaz de proveer una medición precisa y repetible a nivel de nanoescala.

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Detección de excitaciones magnéticas en un arreglo con patrón magnético mediante Microscopía de Fuerza Magnética (MFM)

El fenómeno de excitación magnética cumple un papel fundamental en el diseño de los mecanismos de conmutación de nanoestructuras magnéticas encontradas dentro de dispositivos de almacenamiento de alta densidad. En este estudio se investigó la excitación magnética presente en una muestra con patrón magnético, con el uso de un Microscopio de Fuerza Atómica (por sus siglas en inglés, AFM) vía Microscopía de Fuerza Magnética (MFM).

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Análisis de caracterización de microscopia de capacitancia en canal de vacío de dispositivos nanoelectrónicos

Los esfuerzos para endurecer los componentes electrónicos y sistemas usando dispositivos de estado sólidos contra los efectos de la radiación y calor para uso en recorrido de espacio se han convertido en una importante operación de ingeniería para agencias de exploración espaciales alrededor del mundo. Dicho trabajo no sólo ha sido desperdiciador de tiempo, sino costoso, así como con la mayoría de las soluciones de entrega siendo más costosas y tecnológicamente más de lo que está normalmente disponible para los consumidores de otros tipos de aplicación.

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Park SmartScan y AutoScript: Mejora del rendimiento operativo y la productividad del usuario

La microscopía de fuerza atómica (AFM) fue desarrollada originalmente en los años 80 con su primer uso en la experimentación publicado en 1986. El funcionamiento del AFM se basa en el uso de un voladizo con una punta de sonda afilada, con una curvatura de radio medio de varios nanómetros, para explorar a través de la superficie de una muestra. Las flexiones y contorsiones del voladizo de la punta de la sonda recorriendo la topografía de la superficie de la muestra es grabado y luego traducido en una imagen generada por computadora para el análisis del usuario. Con el tiempo, el AFM ha visto una serie de espectaculares avances que han permitido medir otros tipos de señales de muestras, no sólo de retroalimentación mecánica.

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